Структуры кремний-на-сапфире (КНС) используются для создания быстродействующих интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью. В работе приведены результаты исследования монокристаллических субмикронных слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимационного источника Si. Сообщаются некоторые особенности разработанных устройств для роста слоев кремния на сапфире из сублимационного источника Si, расположенного в камере роста сверхвысоков...